PSMN1R0-40YLDX دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
PSMN1R0-40YLDX
|
|
حجم فایل
|
73.818
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
14
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Nexperia PSMN1R0-40YLDX
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
198W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
127nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
8845pF@20V
-
Continuous Drain Current (Id):
280A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@1mA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.1mΩ@10V,25A
-
Package:
LFPAK-56
-
Manufacturer:
Nexperia
